उत्पाद का नाम | पाइज़िओलेक्ट्रिक सिरेमिक डिस्क |
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आयाम (मिमी) | Φ10xΦ5x2 |
क्षमता सी (पीएफ) | 240 ± 10% |
कमजोर क्षेत्र डुसीपाटियो टीजीडी (12 वी) | ≤0.5% |
मजबूत क्षेत्र डुसीप एटियनटग δ (400 वी) | ≤1.0% |
पैकेजिंग विवरण | सामान्य पैकिंग |
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प्रसव के समय | 30 दिन |
आपूर्ति की क्षमता | 1000 पीसीएस + प्रति माह |
उत्पत्ति के प्लेस | सीएन |
ब्रांड नाम | CCWY |
उत्पाद का नाम | पिइज़ोइलेक्ट्रिक सिरेमिक सामग्री |
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आकृति | अंगूठी आकार |
कमजोर क्षेत्र Dissipatio Tgδ (12v) | ≤0.5% |
मजबूत फील्ड डिस्प्ले एटियन टीजी δ (400v) | ≤1.0% |
रेसो नान्स इम्पैडेंस जेएम (Ω) | ≤15 |
उत्पाद का नाम | पिइज़ोइलेक्ट्रिक सिरेमिक सामग्री |
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आकृति | अंगूठी आकार |
कमजोर क्षेत्र Dissipatio Tgδ (12v) | ≤0.5% |
मजबूत फील्ड डिस्प्ले एटियन टीजी δ (400v) | ≤1.0% |
रेसो नान्स इम्पैडेंस जेएम (Ω) | ≤15 |
पैकेजिंग विवरण | सामान्य पैकिंग |
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प्रसव के समय | 30 दिन |
आपूर्ति की क्षमता | 1000 पीसीएस + प्रति माह |
उत्पत्ति के प्लेस | सीएन |
ब्रांड नाम | CCWY |
उत्पाद का नाम | पिइज़ोइलेक्ट्रिक सिरेमिक सामग्री |
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आकृति | अंगूठी आकार |
कमजोर क्षेत्र Dissipatio Tgδ (12v) | ≤0.5% |
मजबूत फील्ड डिस्प्ले एटियन टीजी δ (400v) | ≤1.0% |
रेसो नान्स इम्पैडेंस जेएम (Ω) | ≤15 |
उत्पाद का नाम | पिइज़ोइलेक्ट्रिक सिरेमिक सामग्री |
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आकृति | अंगूठी आकार |
कमजोर क्षेत्र Dissipatio Tgδ (12v) | ≤0.5% |
मजबूत फील्ड डिस्प्ले एटियन टीजी δ (400v) | ≤1.0% |
रेसो नान्स इम्पैडेंस जेएम (Ω) | ≤15 |
पैकेजिंग विवरण | निर्यात पैकिंग |
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प्रसव के समय | 3-7 दिनों |
भुगतान शर्तें | टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, पेपैल |
आपूर्ति की क्षमता | 1-50,000 |
उत्पत्ति के प्लेस | चीन |
पैकेजिंग विवरण | निर्यात पैकिंग |
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प्रसव के समय | 3-7 दिनों |
भुगतान शर्तें | टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, पेपैल |
आपूर्ति की क्षमता | 1-50,000 |
उत्पत्ति के प्लेस | चीन |
उत्पाद का नाम | पिइज़ोइलेक्ट्रिक सिरेमिक सामग्री |
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आकृति | अंगूठी आकार |
मजबूत फील्ड डिस्प्ले एटियन टीजी δ (400v) | ≤1.0% |
रेसो नान्स इम्पैडेंस जेएम (Ω) | ≤15 |
गुणवत्ता फैक्टर क्यूएम | ≥800 |