| उत्पाद का नाम | पिइज़ोइलेक्ट्रिक सिरेमिक सामग्री |
|---|---|
| आकृति | अंगूठी आकार |
| कमजोर क्षेत्र Dissipatio Tgδ (12v) | ≤0.5% |
| मजबूत फील्ड डिस्प्ले एटियन टीजी δ (400v) | ≤1.0% |
| रेसो नान्स इम्पैडेंस जेएम (Ω) | ≤15 |
| पैकेजिंग विवरण | दफ़्ती |
|---|---|
| प्रसव के समय | शेयर पर |
| भुगतान शर्तें | टी/टी |
| आपूर्ति की क्षमता | 20.000.000 प्रति माह |
| उत्पत्ति के प्लेस | सीएन |
| उत्पाद का नाम | पिइज़ोइलेक्ट्रिक सिरेमिक सामग्री |
|---|---|
| आकृति | अंगूठी आकार |
| कमजोर क्षेत्र Dissipatio Tgδ (12v) | ≤0.5% |
| मजबूत फील्ड डिस्प्ले एटियन टीजी δ (400v) | ≤1.0% |
| रेसो नान्स इम्पैडेंस जेएम (Ω) | ≤15 |
| पैकेजिंग विवरण | दफ़्ती |
|---|---|
| प्रसव के समय | शेयर पर |
| भुगतान शर्तें | टी/टी |
| आपूर्ति की क्षमता | 20.000.000 प्रति माह |
| उत्पत्ति के प्लेस | सीएन |
| पैकेजिंग विवरण | दफ़्ती |
|---|---|
| प्रसव के समय | शेयर पर |
| भुगतान शर्तें | टी/टी |
| आपूर्ति की क्षमता | 20.000.000 प्रति माह |
| उत्पत्ति के प्लेस | सीएन |
| पैकेजिंग विवरण | दफ़्ती |
|---|---|
| प्रसव के समय | शेयर पर |
| भुगतान शर्तें | टी/टी |
| आपूर्ति की क्षमता | 20.000.000 प्रति माह |
| उत्पत्ति के प्लेस | सीएन |
| उत्पाद का नाम | पिइज़ोइलेक्ट्रिक सिरेमिक सामग्री |
|---|---|
| आकृति | अंगूठी आकार |
| कमजोर क्षेत्र Dissipatio Tgδ (12v) | ≤0.5% |
| मजबूत फील्ड डिस्प्ले एटियन टीजी δ (400v) | ≤1.0% |
| रेसो नान्स इम्पैडेंस जेएम (Ω) | ≤15 |
| उत्पाद का नाम | पिइज़ोइलेक्ट्रिक सिरेमिक सामग्री |
|---|---|
| आकृति | अंगूठी आकार |
| मजबूत फील्ड डिस्प्ले एटियन टीजी δ (400v) | ≤1.0% |
| रेसो नान्स इम्पैडेंस जेएम (Ω) | ≤15 |
| गुणवत्ता फैक्टर क्यूएम | ≥800 |
| पैकेजिंग विवरण | दफ़्ती |
|---|---|
| प्रसव के समय | शेयर पर |
| भुगतान शर्तें | टी/टी |
| आपूर्ति की क्षमता | 20.000.000 प्रति माह |
| उत्पत्ति के प्लेस | सीएन |
| पैकेजिंग विवरण | दफ़्ती |
|---|---|
| प्रसव के समय | शेयर पर |
| भुगतान शर्तें | टी/टी |
| आपूर्ति की क्षमता | 20.000.000 प्रति माह |
| उत्पत्ति के प्लेस | सीएन |
