उत्पाद का नाम | पिइज़ोइलेक्ट्रिक सिरेमिक सामग्री |
---|---|
आकृति | अंगूठी आकार |
कमजोर क्षेत्र Dissipatio Tgδ (12v) | ≤0.5% |
मजबूत फील्ड डिस्प्ले एटियन टीजी δ (400v) | ≤1.0% |
रेसो नान्स इम्पैडेंस जेएम (Ω) | ≤15 |
उत्पाद का नाम | पिइज़ोइलेक्ट्रिक सिरेमिक सामग्री |
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आकृति | अंगूठी आकार |
मजबूत फील्ड डिस्प्ले एटियन टीजी δ (400v) | ≤1.0% |
रेसो नान्स इम्पैडेंस जेएम (Ω) | ≤15 |
गुणवत्ता फैक्टर क्यूएम | ≥800 |
उत्पाद का नाम | पिइज़ोइलेक्ट्रिक सिरेमिक सामग्री |
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आकृति | अंगूठी आकार |
मजबूत फील्ड डिस्प्ले एटियन टीजी δ (400v) | ≤1.0% |
रेसो नान्स इम्पैडेंस जेएम (Ω) | ≤15 |
गुणवत्ता फैक्टर क्यूएम | ≥800 |
उत्पाद का नाम | पिइज़ोइलेक्ट्रिक सिरेमिक सामग्री |
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आकृति | अंगूठी आकार |
कमजोर क्षेत्र Dissipatio Tgδ (12v) | ≤0.5% |
मजबूत फील्ड डिस्प्ले एटियन टीजी δ (400v) | ≤1.0% |
रेसो नान्स इम्पैडेंस जेएम (Ω) | ≤15 |